Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJT7808_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT7808_R1_00001 Hakkında
PJT7808_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen dual N-Channel enhancement mode MOSFET'tir. 20V drain-source gerilim ve 500mA sürekli drain akımı desteği ile, düşük seviye lojik giriş kontrolüne uyumlu (1.2V drive) genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 400mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç kayıpları minimize edilmiştir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve kompakt 6-TSSOP (SOT-363) paket tasarımı, bu bileşeni taşınabilir cihazlar, sensör arabirimleri ve doğru akım kontrolü uygulamalarında tercih edilen bir çözüm haline getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 67pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok