Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJT7807_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT7807_R1_00001 Hakkında
PJT7807_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V P-Channel Enhancement Mode dual MOSFET dizisidir. 500mA sürekli drain akımı ve 1.2Ω maksimum RDS(ON) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 6-TSSOP (SOT-363) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, sürücü uygulamaları ve genel sinyal anahtarlaması için kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bileşen, 350mW maksimum güç dağıtımı ile kompakt tasarımları destekler. 1.4nC gate charge ve 38pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 38pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok