Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJT7802_S1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT7802_S1_00001 Hakkında
PJT7802_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V N-Channel Enhancement Mode dual MOSFET dizisidir. Surface Mount SOT-363 paketinde sunulan bu bileşen, 500mA sürekli dren akımı kapasitesine ve 400mOhm RDS(on) değerine sahiptir. 350mW maksimum güç derecelendirmesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (0.9nC @ 4.5V) özelliği hızlı anahtarlama gerektiren devreler için avantajlıdır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu dual MOSFET, endüstriyel kontrol, LED sürücüleri, güç dağıtım modülleri ve taşınabilir cihazlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 39pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok