Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJT7802_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT7802_R1_00001 Hakkında
PJT7802_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistöridir. Çift kanal (2 N-Channel) yapılandırmasına sahip bu bileşen, 500mA sürekli drenaj akımı ve 400mOhm RDS(on) ile analog anahtarlama, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücü devreler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 350mW maksimum güç dağıtımı, düşük kapı yükü (0.9nC) ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur. 6-TSSOP/SOT-363 yüzey montaj paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 39pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok