Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJT7801_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT7801_R1_00001 Hakkında
PJT7801_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V P-Channel Enhancement Mode dual MOSFET transistör dizisidir. SOT-363 paketinde sunulan bu komponent, yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalarda iki P-channel MOSFET'i bir çip üzerinde sunarak alan tasarrufu sağlar. 700mA sürekli drain akımı ve 325mOhm on-resistance değerleriyle, anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, ses amplifikatörleri, LED sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunarak geniş sıcaklık aralığında uygulamalara hizmet verir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 325mOhm @ 700mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok