Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJT7800_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT7800_R1_00001 Hakkında
PJT7800_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V N-Channel Enhancement Mode dual MOSFET transistör dizisidir. Surface Mount SOT-363 paketinde sunulan bu komponent, 1A sürekli drain akımı kapasitesi ve 150mOhm (@ 1A, 4.5V) on-state direnci ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.6nC gate charge ve 92pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu dual MOSFET, düşük güç tüketimi gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreler, analog switch uygulamaları ve genel sinyal anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 92pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok