Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJT7601_R1_00001
20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
PJT7601_R1_00001 Hakkında
PJT7601_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V complementary enhancement MOSFET dizi transistörüdür. N ve P-channel kanalları tek pakette birleştiren bu bileşen, logic level gate sürüşü ile 1.2V'de çalışabilir. 500mA sürekli dren akımı ve 350mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında yer alır. 400mOhm ile 1.2Ohm arasında değişen Rds On değerleri, hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı sağlar. 6-TSSOP/SC-88/SOT-363 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığına sahiptir. Tüketici elektroniği, mobil cihazlar, pil yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| FET Type | N and P-Channel Complementary |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 67pF @ 10V, 38pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok