Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

PJT7600_R1_00001

20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
PJT7600

PJT7600_R1_00001 Hakkında

PJT7600_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET dizisidir. N ve P-Channel kanalları bir arada bulunduran bu bileşen, düşük güç uygulamalarında analog ve dijital devre tasarımında kullanılır. 6-TSSOP (SOT-363) paketinde sunulan komponent, maksimum 350mW güç disipasyonuna ve 20V drain-source voltajına sahiptir. Sürekli drain akımı 1A (N-Channel) ve 700mA (P-Channel) olup, açık kapı voltajında (Vgs=4.5V) sırasıyla 150mOhm ve 325mOhm Rds(on) değerleri sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, portatif cihazlar, güç yönetimi devreleri, ses amplifikatörleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta), 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 92pF @ 10V, 151pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok