Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJT138L_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT138L_R1_00001 Hakkında
PJT138L_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen dual N-channel enhancement mode MOSFET transistördür. 60V Vdss derecelendirmesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-363 yüzey montajlı paketlemesinde sunulan bu bileşen, 200mA sürekli dren akımı ve 4.2Ω (10V, 200mA) on-direnci ile düşük güç tüketimli devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, kapı kontrol uygulamaları, voltaj regülasyonu ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Düşük gate charge (0.7nC) ve input capacitance (15pF) özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok