Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJT138K_R1_00001
50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT138K_R1_00001 Hakkında
PJT138K_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 50V N-Channel Enhancement Mode dual MOSFET transistörüdür. Surface Mount SOT-363 paketinde sunulan bu bileşen, 360mA drain akımı ve 1.6Ω RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu FET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 236mW maksimum güç derecelendirmesi ile entegre edilen bu dual transistör, kompakt tasarımlarda ve yüksek yoğunluklu PCB düzenlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 360mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok