Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJS6830_S1_00001
20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
PJS6830_S1_00001 Hakkında
PJS6830_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V dual N-channel enhancement mode MOSFET dizisidir. SOT-23-6 yüzey montajlı paket içinde iki adet N-channel FET bulunur. Maksimum 2A sürekli dren akımı ile 150mOhm (4.5V, 2A'de) on-resistance değerine sahiptir. 1.8nC gate charge ve 92pF input capacitance karakteristikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun özellikleri sunar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Maksimum 1.25W güç dağıtımı kapasitesiyle genel amaçlı anahtarlama, sürücü ve kontrol devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 92pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok