Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJS6816_S1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6816_S1_00001 Hakkında
PJS6816_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V N-Channel Enhancement Mode dual MOSFET dizisidir. SOT-23-6 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 5.2A sürekli drain akımı ve 29mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, geçiş hızlı devrelerde, anahtarlama uygulamalarında ve düşük voltaj lojik kontrol sistemlerinde tercih edilir. 1.2V gate threshold voltajı ve 7nC gate charge değeri ile hızlı komutasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 513pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok