Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJS6812_S1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6812_S1_00001 Hakkında
PJS6812_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V N-Channel Enhancement Mode dual MOSFET dizisidir. SOT-23-6 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 3.7A sürekli drain akımı kapasitesine ve 56mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 4.57nC gate charge ve 350pF input capacitance özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük güç tüketimi gerektiren dijital devreler, motor sürücüler, güç yönetimi uygulamaları ve sinyal anahtarlamada yaygın olarak kullanılır. Aktif ürün statüsüne sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.57nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok