Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJS6809_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6809_S1_00001 Hakkında
PJS6809_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistör dizisidir. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.6A sürekli drenaj akımı ve 115mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük elektrik direnci sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arasında) stabil performans gösterir. 1.25W maksimum güç dağıtım kapasitesiyle, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük sinyal kontrol sistemlerinde kullanılır. Düşük gate charge (9.8nC) ve input capacitance (396pF) değerleri hızlı anahtarlama ve verimli sürücü tasarımı gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 396pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok