Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJS6806_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6806_S1_00001 Hakkında
PJS6806_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen dual N-Channel enhancement mode MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (48mOhm @ 4A, 10V) nedeniyle verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 1.25W maksimum güç derecelemesi ile portatif cihazlar, güç kaynakları, motor denetleyicileri ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. Düşük gate charge (5.8nC @ 10V) ve input capacitance (235pF @ 15V) hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren devrelere uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok