Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJS6800_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6800_S1_00001 Hakkında
PJS6800_S1_00001, PANJIT üretimi dual N-Channel enhancement mode MOSFET dizisidir. 30V drain-source voltajında çalışan bu transistör, 3.9A kontinü drain akımı kapasitesiyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 48mOhm (10V, 3.9A) RDS(on) değeri ve 11.3nC gate charge ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok