Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJS6603_S2_00001
30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
PJS6603_S2_00001 Hakkında
PJS6603_S2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET dizisidir. N-Channel ve P-Channel transistörleri içeren bu bileşen, SOT-23-6 paketinde sunulmaktadır. 4.4A (N-Channel) ve 2.9A (P-Channel) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Rds(on) değerleri sırasıyla 48mΩ ve 110mΩ olup, düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Maksimum 1.25W güç tüketim kapasitesi bulunmaktadır. Analog anahtarlama, ses işleme devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve genel sinyal işleme devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta), 2.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel Complementary |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V, 9.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 15V, 396pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 4.4A, 10V, 110mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok