Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJS6602_S2_00001
20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
PJS6602_S2_00001 Hakkında
PJS6602_S2_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V tamamlayıcı enhancement MOSFET dizisidir. N-kanal ve P-kanal transistörleri aynı pakette içeren bu komponent, 5.2A (N-kanal) ve 3.4A (P-kanal) drain akımı kapasitesine sahiptir. Düşük RDS(on) değerleri (36mΩ @ N-kanal, 82mΩ @ P-kanal) sayesinde enerji verimliliği sağlar. SOT-23-6 SMD paket ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, lojik seviyeleme, güç yönetimi devreleri ve entegre dijital-analog uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 1.25W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta), 3.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel Complementary |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 396pF @ 10V, 522pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.2A, 4.5V, 82mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok