Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJS6601_S2_00001
20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
PJS6601_S2_00001 Hakkında
PJS6601_S2_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET dizisidir. N-channel ve P-channel transistörlerin tamamlayıcı kombinasyonunu içeren bu bileşen, SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4.1A (N-channel) ve 3.1A (P-channel) drain akım kapasitesi ile anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(On) değerleri (56mOhm / 100mOhm) ile güç kaybını minimize eder. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Lojik seviyeleri ile uyumlu gate drive gereksinimi ve küçük form faktörü, portable ve space-constrained tasarımlara uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta), 3.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel Complementary |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V, 416pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 4.1A, 4.5V, 100mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok