Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJQ5866A_R2_00001
60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5866A
PJQ5866A_R2_00001 Hakkında
PJQ5866A_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V dual N-channel enhancement mode MOSFET transistörüdür. Surface Mount DFN5060B-8 paketi ile sunulan bu bileşen, 7A (Ta) ve 40A (Tc) drain akımı kapasitesine sahiptir. Rds(on) değeri 17mOhm (20A, 10V koşullarında) ile düşük iletim direnci sağlar. 1.7W (Ta) ve 56W (Tc) güç sınırlandırması ile tasarlanmıştır. Vgs(th) 2.5V @ 250µA, Gate Charge 13.5nC @ 4.5V ve Input Capacitance 1574pF @ 25V özellikleriyle belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arası işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1574pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.7W (Ta), 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060B-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok