Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJQ5866A-AU_R2_000A1
60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5866A
PJQ5866A-AU_R2_000A1 Hakkında
PJQ5866A-AU_R2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 60V dual N-channel enhancement mode MOSFET transistörüdür. Surface mount DFN5060B-8 paketinde sunulan bu bileşen, 7A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 17mΩ (20A, 10V koşullarında) son derece düşük Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5V eşik voltajı ile hızlı komutasyon sağlar. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, battery management systems ve güç dağıtım uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1574pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta), 68.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060B-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok