Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJQ5850_R2_00001
40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5850
PJQ5850_R2_00001 Hakkında
PJQ5850_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET'dir. Surface mount DFN5060B-8 paketinde sunulan bu komponent, iki bağımsız N-channel transistörü içerir. 5A (Ta) / 14A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan transistör, maksimum 33mOhm (10V, 8A) drain-source direnciyle düşük enerji kaybı sağlar. 4.4nC gate charge ve 425pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponent, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta), 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.7W (Ta), 12W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060B-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok