Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJQ5846_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5846
PJQ5846_R2_00001 Hakkında
PJQ5846_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen dual N-Channel enhancement mode MOSFET transistör dizisidir. 40V drain to source gerilim yeteneğine sahip bu bileşen, 9.5A sürekli dren akımını (Ta) ve 40A'ya kadar akımı (Tc) destekler. 10.5mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile güç düşümünü minimize eder. Surface mount 8-PowerTDFN pakette sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 22nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, güç kaynakları ve RF anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1258pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.7W (Ta), 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060B-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok