Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJQ5606_R2_00001
30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5606
PJQ5606_R2_00001 Hakkında
PJQ5606_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V rated complementary N ve P-channel enhancement mode MOSFET dizisidir. Surface mount DFN5060B-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance karakteristiğine (19mOhm @ 8A, 10V) ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Maksimum 1.7W (Ta) ve 21W (Tc) güç harcaması ile röle kontrolleri, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Düşük gate charge (4.8nC-7.8nC) sayesinde hızlı anahtar geçişlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel Complementary |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 429pF @ 25V, 846pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.7W (Ta), 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060B-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok