Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJQ4602_R1_00001
30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- PJQ4602
PJQ4602_R1_00001 Hakkında
PJQ4602_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET dizisidir. N ve P-Channel komplementer transistör çiftini içeren bu bileşen, analog ve dijital devre tasarımlarında sinyal anahtarlama, güç yönetimi ve lojik seviyesi dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 6.4A-18.5A sürekli dren akımı kapasitesi, 2.1V-2.5V gate eşik gerilimi ve 28-31mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Surface Mount 8-pin DFN3030B-8 paketinde sunulan bu transistör, mobil cihazlar, DC-DC konvertörler ve pil yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel Complementary |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 343pF @ 15V, 870pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta), 17.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6A, 10V, 31mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN3030B-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok