Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJQ2888_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-WFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PJQ2888
PJQ2888_R1_00001 Hakkında
PJQ2888_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET dizisidir. Dual P-Channel konfigürasyonuyla tasarlanan bu bileşen, 1.5A sürekli Drain akımı ve 325mOhm RDS(on) değeriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-WFDFN Exposed Pad paketlemesi ile yüzey monte edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 1.25W güç tüketimindedir. Düşük Gate Charge (2.2nC) ve kompakt tasarımı sayesinde anahtarlama devreleri, güç yönetimi, elektriksel kontrol sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 325mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok