Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJQ2800_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PJQ2800
PJQ2800_R1_00001 Hakkında
PJQ2800_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V N-Channel Enhancement Mode dual MOSFET transistör dizisidir. Surface mount 6-VDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, 5.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük sinyal ve güç uygulamalarında kullanılır. 32mOhm maksimum RDS(on) değeriyle enerji verimliliği sağlayan komponentin gate charge değeri 6.3nC'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu dual MOSFET, anahtar devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve analog sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük input kapasitansı (515pF @ 10V) sayesinde hızlı komütasyon özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 515pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.45W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020-6L |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok