Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJL9812_R2_00001
30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
PJL9812_R2_00001 Hakkında
PJL9812_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V dual N-channel enhancement mode MOSFET transistördür. Surface mount 8-SOP paketinde sunulan bu bileşen, 6A maksimum drain akımı kapasitesine sahiptir. Rds(on) değeri 35mOhm (Vgs=10V, Id=6A) olarak belirtilmiştir. Gate threshold voltajı (Vgs(th)) 1.3V @ 250µA'dır. Giriş kapasitansi (Ciss) maksimum 421pF @ 15V'tur. Maksimum güç dağıtımı 2W'tır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılabilir. Aktif üretim durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 421pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok