Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJL9808_R2_00001
30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
PJL9808_R2_00001 Hakkında
PJL9808_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V dual N-channel enhancement mode MOSFET transistöründür. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmış, iki adet N-channel MOSFET'i tek bir pakette barındırır. 8A sürekli drain akımı ve 19mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. SOP-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Güç yönetimi, PWM kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve analog sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 392pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok