Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJL9807_R2_00001
30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
PJL9807_R2_00001 Hakkında
PJL9807_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistör dizisidir. Her bir kanal 4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, maksimum 1.7W güç tüketebilir. RDS(on) değeri 10V gate voltajında 3A akımda 52mOhm olarak belirtilmiştir. Gate eşik gerilimi 250µA akımda maksimum 2.5V, gate charge ise 4.5V'de 4.8nC'dir. Surface mount 8-SOP paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, inverter tasarımları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 516pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok