Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

PHPT61006NYX

NEXPERIA PHPT61006NY - 100V, 6A

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PHPT61006NY

PHPT61006NYX Hakkında

PHPT61006NYX, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 6A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 170MHz transition frequency ve 140 (minimum) DC current gain özellikleri sayesinde anahtarlama ve RF sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. Surface Mount pakajda sunulan bu transistör, LFPAK56 (Power-SO8) gövdesinde 1.3W maksimum güç yönetebilir. 175°C'ye kadar çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve ses amplifikatörlerinde kullanım alanı bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 170MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power - Max 1.3 W
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 340mV @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok