Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PHN210T,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
PHN210T,118 Hakkında
PHN210T,118, Nexperia tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile çalışan bu komponent, logic level gate özelliğine sahiptir ve 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur. 100mOhm (10V, 2.2A'de) on-resistance değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. Maksimum 2W güç disipasyonu kapasitesi ve 6nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalarda, güç yönetimi devrelerinde, anahtar uygulamalarında ve logic seviyesi kontrol sistemlerinde kullanılır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok