Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- PHN210
PHN210,118 Hakkında
PHN210,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen 30V dual N-channel MOSFET'tir. 8-pin SO paket içinde sunulan bu bileşen, logic level gate kontrolüne sahip olup 2.2A akımda 100mOhm'luk RDS(on) değerine ulaşır. 30V drain-source gerilim desteği ve 6nC gate charge özellikleriyle, düşük güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2W güç derecesi ve -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı vardır. TTL/CMOS lojik devrelerle doğrudan uyumlu tasarımı sayesinde anahtar ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Yüksek hızlı anahtarlama, inverter devreleri ve genel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok