Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PHKD3NQ10T,518
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
PHKD3NQ10T,518 Hakkında
PHKD3NQ10T,518, Nexperia tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 100V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 3A kontinü drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol voltajlarında çalışabilir. 90mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 2W güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok