Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PHKD13N03LT,518
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- PHKD13N03LT
PHKD13N03LT,518 Hakkında
PHKD13N03LT,518, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. Logic Level Gate özelliğine sahip bu small signal FET, 30V Drain-Source gerilimi ve 10.4A sürekli dren akımı ile çalışabilir. 20mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. 3.57W maksimum güç harcaması ile sınırlı güç uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Surface Mount 8-SO paketinde sunulan bu transistör, anahtar devreler, sinyal amplifikasyonu, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.7nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 752pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.57W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok