Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PHE13009/DG,127
TRANS NPN 400V 12A TO220AB
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Seri / Aile Numarası
- PHE13009
PHE13009/DG,127 Hakkında
PHE13009/DG,127, WeEn Semiconductors tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 400V kollektör-emitter yıkılma voltajı ve 12A maksimum kollektör akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 80W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. 150°C işletme sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5A, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 80 W |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 1.6A, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok