Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

PHE13009,127

TRANS NPN 400V 12A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
PHE13009

PHE13009,127 Hakkında

PHE13009,127, WeEn Semiconductors tarafından üretilen NPN tipi bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 400V breakdown voltajı ve 12A maksimum collector akımı ile güç elektronikleri, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. 80W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda kullanıma uygundur. 2V saturasyon voltajı ile verimli anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 12 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5A, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 80 W
Supplier Device Package TO-220AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 1.6A, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok