Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PHE13007,127
TRANS NPN 400V 8A TO220AB
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Seri / Aile Numarası
- PHE13007
PHE13007,127 Hakkında
WeEn Semiconductors PHE13007,127 bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile güç anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. TO-220AB paketinde sunulan bileşen, 80W maksimum güç dağıtabilir ve -150°C'ye kadar çalışabilir. 350mV doyum gerilimi ile düşük kapı kayıpları sağlar. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç beslemeleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 2A, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 80 W |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 1A, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok