Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PHE13003C,126
TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PHE13003C
PHE13003C,126 Hakkında
PHE13003C,126, WeEn Semiconductors tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. TO-92-3 paket tipinde sunulan bu komponent, 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2.1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve genel amaçlı elektronik devrelerde tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenmesi mümkündür. -150°C işletme sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 1A, 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.1 W |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok