Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PHE13003A,412
NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PHE13003A
PHE13003A,412 Hakkında
PHE13003A,412, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montajı için TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. 400V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 1A collector akımı ve 2.1W güç derecelendirmesi ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon görevlerine uygundur. 150°C'ye kadar çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 10 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 1.5V doyum voltajı ile güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 400mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.1 W |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 750mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok