Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PEMH18,115
NEXPERIA PEMH18 - SMALL SIGNAL B
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- PEMH18
PEMH18,115 Hakkında
PEMH18,115, Nexperia tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistördür. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketlerinde sunulan bu komponent, 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 4.7kΩ baz ve 10kΩ emitter-baz dahili direnç yapısına sahiptir. 300mW maksimum güç ile tasarlanan PEMH18, ön yükleme dirençleri sayesinde sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında direkt kullanıma hazırdır. Düşük açılı akımı ve hızlı komutasyon özelliği ile lojik seviyeleri kontrol eden devrelerde, sensör arayüzlerinde ve RF uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Power - Max | 300mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok