Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
PEMF21,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
PEMF21,115 Hakkında
PEMF21,115, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli bipolar junction transistör (BJT) dizisidir. Bu bileşen, bir NPN ve bir PNP transistörün entegre edilmiş 10kOhm base ve emitter-base dirençleri ile birlikte bulunduğu SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 100mA ve 500mA maksimum kollektör akımı kapasitesi, 280MHz transition frequency ve 300mW maksimum güç disipasyonu ile karakterize edilir. DC current gain değerleri 30 ile 200 arasında değişmektedir. Vce saturation voltajı 250mV ile 300mV arasında olup, kollektör-emitter breakdown voltajı 50V ve 12V limitlerindedir. Ön yüklü (pre-biased) yapısı nedeniyle, hızlı anahtarlama uygulamalarında, darbe yükseltici devreler, seviye konverterler ve dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Ürün kütüğünde eski (obsolete) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V |
| Frequency - Transition | 280MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok