Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
PEMD9,115
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
PEMD9,115 Hakkında
PEMD9,115, Nexperia tarafından üretilen dual transistör entegre devresidir. İçerisinde 1 adet NPN ve 1 adet PNP transistör barındıran ön beslemeli (pre-biased) yapısı ile çalışır. SOT-563 ve SOT-666 paket seçenekleriyle sunulmaktadır. Maksimum 300mW güç tüketimi ile düşük güçlü uygulamalarda kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 100 @ 5mA, 5V koşullarında 100 değerini sağlamaktadır. Entegre içerisinde 10kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci bulunmaktadır. Kolektör cutoff akımı maksimum 1µA, maksimum kolektör akımı ise 100mA olarak belirtilmiştir. Diyot uygulamaları, sinyal anahtarlaması, amplifikasyon ve lojik devreleri gibi çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok