Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
PEMD18,115
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT666
PEMD18,115 Hakkında
PEMD18,115, Nexperia tarafından üretilen dual pre-biased BJT transistördür. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu bileşen, SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 50V maksimum Vce(sat) gerilimi ile çalışır ve 100mA'e kadar collector akımı sağlayabilir. Dahili 4.7kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri ile önceden biaslanmış haldedir. 300mW güç tüketimi ile sinyal işleme, anahtarlama ve aşama uygulamalarında kullanılır. SMD montajı için uygun bu bileşen, özellikle kompakt devre tasarımlarında tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok