Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
PEMD10,115
NOW NEXPERIA PEMD10 - SMALL SIGN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- PEMD10
PEMD10,115 Hakkında
PEMD10,115, Nexperia tarafından üretilen dual pre-biased BJT transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 Surface Mount paketinde sunulan bu komponent, 1 NPN ve 1 PNP transistörden oluşur. 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci içeren ön beslemeli yapısı sayesinde, IC tasarımında karmaşık bias devrelerinin simplifikasyonuna olanak tanır. Maksimum collector akımı 100mA, maksimum güç tüketimi 300mW ve collector-emitter breakdown voltajı 50V'tur. 100mV saturation voltajı ile düşük güç kaybında çalışır. Sinyal işleme, anahtarlama devreleri, impedans dönüştürme ve lojik seviye uyarlaması gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. RoHS uyumlu ve aktif üretim durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok