Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD143XQAZ
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTD143XQA
PDTD143XQAZ Hakkında
PDTD143XQAZ, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. 3-XDFN Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mA kolektör akımı ve 210MHz transition frekansı ile çalışır. İç yapıya entegre 4.7kΩ base direnci ve 10kΩ emitter-base direnci içerir. 50V breakdown voltajı ve 325mW maksimum güç harcaması özellikleriyle, anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devrelerinde ve dijital lojik uygulamalarında kullanılır. 100mV saturation voltajı ile düşük güç kaybında hızlı komutasyon sağlar. Endüstriyel ve tüketici elektroniksi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 210 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok