Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD123YT,215
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
PDTD123YT,215 Hakkında
PDTD123YT,215, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar junction transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 250mW güç tüketimi ve 500mA collector akımı kapasitesine sahiptir. Dahili olarak 2.2kΩ base resistörü ve 10kΩ emitter-base resistörü içerir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile AC ve DC anahtarlama uygulamalarında, sinyal yükselticilerinde, logik seviyelendirmesinde ve düşük güçlü amplifikasyon devrelerinde kullanılır. DC current gain (hFE) 50mA, 5V koşullarında minimum 70 değerini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok