Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD123YS,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTD123YS
PDTD123YS,126 Hakkında
PDTD123YS,126 NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-92-3 paket içerisinde 2.2 kΩ base direnç ve 10 kΩ emitter-base direncini içeren entegre bir yapıya sahiptir. Maksimum 500 mA kollektör akımı ve 500 mW güç dağıtma kapasitesi ile çalışır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mV doyma voltajı bu bileşeni düşük sinyal anahtarlama ve lojik uygulamalarında kullanıma uygun hale getirir. Dahili ön beslemeli direnç yapısı sayesinde harici biyaslandırma dirençleri gerektirmez. Endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında sinyal anahtarlama, LED kontrolü ve röle sürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok