Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD123YQAZ
TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTD123YQAZ
PDTD123YQAZ Hakkında
PDTD123YQAZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek entegrasyon düzeyine sahip ön beslemeli NPN transistörüdür. DFN1010D-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V kolektör-emiter gerilimi ve 500mA kolektör akımı ile çalışabilir. Transistör içerisine entegre edilmiş base ve emitter-base direnç ağı (sırasıyla 2.2 kΩ ve 10 kΩ), basit biasing uygulamalarında dış devre bileşeni ihtiyacını ortadan kaldırır. 210 MHz transition frequency ile orta hız uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 325 mW maksimum güç tüketimiyle sınırlı güce sahip sistemlerde tercih edilir. Anahtarlama ve düşük sinyal amplifikasyon devrelerinde, özellikle kompakt tasarımlar gerektiren uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 210 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok