Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTD123TT,215

TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTD123TT

PDTD123TT,215 Hakkında

PDTD123TT,215, Nexperia tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir BJT transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışır. Entegre 2.2kΩ base direnci sayesinde ek ön beslemeli devre tasarımı gerektirmez. 250mW maksimum güç disipasyonuna ve 100 minimum DC akım kazancına (hFE) sahiptir. Voltaj kontrol uygulamaları, anahtar devreleri, sinyal amplifikasyonu ve lojik seviyelendirme gibi genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok